⑴对U盘有所研究的用户都知道决定着U盘寿命的是闪存，而闪存的擦写速度又决定着闪存的寿命。因此我们在选购U盘的时候便可以根据选择闪存的寿命来进行选择。因此，我们今天便为大家详细地介绍下闪存的三种类型以及他们的优缺点，一起来学习下吧。
⑵一般闪存类型分为TLC、MLC、SLC三类，价格当然也是依次递增的了。市场上的几十元的U盘绝大多数属于TLC类型。
⑶SLC、 MLC和TLC X(-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在个存储器储存单元(cell)中存放位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为个存储器储存单元存放位元。 年TLC架构正式问世，代表个存储器储存单元可存放位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟 (SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
⑷年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续 供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计年第季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从年第季亿美元下降至亿美元，减少.%。U盘MP中使用的SLC、MLC、 TLC闪存芯片的区别：
⑸SLC = Single-Level Cell ，即bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(约MLC 倍以上的价格)，约万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell，即bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约---次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell，即bit/cell，也有Flash厂家叫LC，速度慢寿命短，价格便宜，约次擦写寿命，目前还没有厂家能做到次。
⑹以上便是关于闪存三种类型TLC、MLC、SLC的详细介绍了，有了以上关于三种类型闪存的对比，相信对大家在选择购买U盘上定会起到帮助的作用。